型號: | STB45NF3LL |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220FP - D2PAK STripFET II⑩ POWER MOSFET |
中文描述: | N溝道30V的- 0.014ohm - 45A條至220 - TO220FP -采用D2PAK STripFET二⑩功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 1/11頁 |
文件大小: | 527K |
代理商: | STB45NF3LL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STP4NA40F1 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
STP4NA40 | 32BIT W/ CACHE, MMU, FPU |
STP4NA40FI | 32-BIT W/ CACHE, MMU |
STP4NC60A | N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET |
STP4NC60AFP | 32BIT MCU,GPT,SIM,QSM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB45NF3LLT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 27 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB46N30M5 | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):53A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 26.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4240pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
STB4GA14 | 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days |
STB4N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB4N80ET4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |