參數(shù)資料
型號： STP2N60FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 199K
代理商： STP2N60FI
STP2N60
STP2N60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 3.2
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWERSUPPLIES (SMPS)
I
CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,
MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR
INDUSTRIAL AND CONSUMER
ENVIRONMENT
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 3.5
< 3.5
I
D
STP2N60
STP2N60FI
600 V
600 V
2.9 A
2.2 A
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
December 1996
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STP2N60
STP2N60FI
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
600
V
V
DGR
600
V
V
GS
±
20
V
I
D
2.9
2.2
A
I
D
1.7
1.3
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
11
11
A
70
35
W
Derating Factor
0.56
0.28
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
2000
V
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
150
1
2
3
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP2N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP2N80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP2N80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP3015L N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET
STB3015 N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP2N80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP2N80FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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