參數(shù)資料
型號(hào)： STP16NK65Z
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 650V-0.38OHM-13A TO-220 I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET
中文描述： N溝道?650V - 0.38OHM - 13A條至220 I2SPAK齊納- MOSFET的保護(hù)SuperMESH
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
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代理商： STP16NK65Z
1/12
September 2005
STP16NK65Z
STB16NK65Z-S
N-CHANNEL 650V - 0.38
- 13A TO-220 / I
2
SPAK
Zener - Protected SuperMESH MOSFET
Table 1: General Features
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.38
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
VERY GOOD MANUFACTURING
REPEATIBILITY
DESCRIPTION
The SuperMESH series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established
stripbased PowerMESH layout. In addition to
pushing on-resistance significantly down, special
care is taken to ensure a very good dv/dt capabil-
ity for the most demanding applications. Such se-
ries complements ST full range of high voltage
MOSFETs including revolutionary MDmesh
products.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
Pw
STP16NK65Z
STB16NK65Z-S
650 V
650 V
< 0.50
< 0.50
13 A
13 A
190 W
190 W
1
2
3
123
I2SPAK
TO-220
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP16NK65Z
P16NK65Z
TO-220
TUBE
STB16NK65Z-S
B16NK65Z
I
2
SPAK
TUBE
Rev. 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB19NB20 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STB22NE03L N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET
STB3NC60 N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET
STB40NE03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
STB4NB50 N-Channel 500V-2.5Ω-3.8A-D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP16NK65Z-S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STP16NM50N 功能描述:MOSFET N Ch 600V 7A Pwr MESH IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP16NS25 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP16NS25FP 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP170N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8710pF @ 40V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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