參數(shù)資料
型號(hào)： STP14NF12
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 120V - 0.16ohm - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道120伏特- 0.16ohm - 14A條TO-220/TO-220FP低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： STP14NF12
STP14NF06
6/8
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP14NF12FP N-CHANNEL 120V - 0.16ohm - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STP15N05L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N06L N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STP16NE06FP N-Channel 60V-0.08Ω-16A- TO-220/TO-220FP STripFETTM POWER MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP14NF12_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 120V - 0.16OHM - 14A - TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
STP14NF12FP 功能描述:MOSFET N-Ch, 120V-0.16ohms 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP14NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP14NK50Z_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 500V - 0.34OHM - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET
STP14NK50ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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