參數(shù)資料
型號： STP14NF12
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 120V - 0.16ohm - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道120伏特- 0.16ohm - 14A條TO-220/TO-220FP低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： STP14NF12
3/8
STP14NF06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 30V, I
D
= 7 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 48 V, I
D
= 14 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
12.5
ns
t
r
Rise Time
32
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
11.2
3.7
3.2
15
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 30 V, I
D
= 7 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
30
9.5
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
14
A
Source-drain Current (pulsed)
56
A
Forward On Voltage
I
SD
= 14 A, V
GS
= 0
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 14 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 30 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
38
61
3.2
ns
nC
A
Safe Operating Area
Thermal Impedence
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP14NF12FP N-CHANNEL 120V - 0.16ohm - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STP15N05L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N06L N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STP16NE06FP N-Channel 60V-0.08Ω-16A- TO-220/TO-220FP STripFETTM POWER MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP14NF12_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 120V - 0.16OHM - 14A - TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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STP14NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP14NK50Z_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 500V - 0.34OHM - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET
STP14NK50ZFP 功能描述:MOSFET N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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