參數(shù)資料
型號： STP12PF06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220 STripFET POWER MOSFET
中文描述： P -通道60V的- 0.18歐姆- 12A條，220 STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/5頁
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代理商： STP12PF06
Absolute Maximum Ratings
( T
J
= 25°C unless otherwise specified )
Symbol
Parameter
Condition
Ratings
Units
V
DRM
Repetitive Peak Off-State Voltage
600
V
I
T(RMS)
R.M.S On-State Current
T
C
= 100 °C
12
A
I
TSM
Surge On-State Current
One Cycle, 50Hz/60Hz, Peak,
Non-Repetitive
119/130
A
I
2
t
I
2
t
71
A
2
s
P
GM
Peak Gate Power Dissipation
5.0
W
P
G(AV)
Average Gate Power Dissipation
0.5
W
I
GM
Peak Gate Current
2.0
A
V
GM
Peak Gate Voltage
10
V
T
J
Operating Junction Temperature
- 40 ~ 125
°C
T
STG
Storage Temperature
- 40 ~ 150
°C
Mass
2.0
g
Feb, 2003. Rev. 2
Features
◆
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V
◆
R.M.S On-State Current ( I
T(RMS)
= 12 A )
◆
High Commutation dv/dt
General Description
This device is suitable for AC switching application, phase
control application such as fan speed and temperature mod-
ulation control, lighting control and static switching relay.
2.T2
3.Gate
1.T1
Symbol
○
○
○
TO-220
▼▲
1/5
STP12A60
SemiWell
Semiconductor
1
2
3
Bi-Directional Triode Thyristor
copyright@SemiWell Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
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PDF描述
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STP130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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