參數(shù)資料
型號： STP12IE90F4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 900 V - 12A - 0.083 ohm
中文描述： 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管內(nèi)酰胺酶900五-第12A - 0.083歐姆
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 261K
代理商： STP12IE90F4
January 2007
Rev 2
1/11
11
Order codes
Part Number
Marking
Package
Packing
STP12IE90F4
P12IE90F4
TO220FP-4L
Tube
STP12IE90F4
Emitter Switched Bipolar Transistor
ESBT
900 V - 12 A - 0.083
General features
■
High voltage / high current Cascode
configuration
■
Low equivalent on resistance
■
Very fast-switch up to 150 kHz
■
Squared RBSOA up to 900V
■
Very low C
iss
driven by R
G
= 47
■
Very low turn-off cross over time
Applications
■
Flyback SMPS for adapter
■
Flyback / forward SMPS for desktop
Description
The STP12IE90F4 is manufactured in Monolithic
ESBT Technology, aimed to provide best perfor-
mances in high frequency / high voltage applica-
tions.
It is designed for use in Gate Driven based topolo-
gies.
Internal schematic diagrams
V
CS(ON)
I
C
R
CS(ON)
1V
12A
0.083
W
TO220FP-4L
www.st.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP12IE95F4 Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 950 V - 12A - 0.083 ohm
STP130NS04ZB CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
STB130NS04ZB N-CHANNEL CLAMPED - 7 mohm - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STB130NS04ZBT4 N-CHANNEL CLAMPED - 7 mohm - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STW130NS04ZB N-CHANNEL CLAMPED - 7 mohm - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP12IE95F4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 950 V - 12A - 0.083 ohm
STP12N120K5 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STP12N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP12N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:538pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP12N65M5 功能描述:MOSFET N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*