型號(hào): | STP12IE95F4 |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 950 V - 12A - 0.083 ohm |
中文描述: | 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管內(nèi)酰胺酶950五-第12A - 0.083歐姆 |
文件頁數(shù): | 1/11頁 |
文件大?。?/td> | 262K |
代理商: | STP12IE95F4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
STP130NS04ZB | CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
STB130NS04ZB | N-CHANNEL CLAMPED - 7 mohm - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET |
STB130NS04ZBT4 | N-CHANNEL CLAMPED - 7 mohm - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET |
STW130NS04ZB | N-CHANNEL CLAMPED - 7 mohm - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET |
STP16CP05 | Low voltage 16-Bit constant current LED sink driver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
STP12N120K5 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
STP12N50M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):560pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
STP12N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):450 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):538pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
STP12N65M5 | 功能描述:MOSFET N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP12NB30 | 功能描述:MOSFET N-Ch 300 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |