參數(shù)資料
型號： STP08IE120F4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1200 V - 8A - 0.10 ohm
中文描述： 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管內(nèi)酰胺酶1200五- 8A條- 0.10歐姆
文件頁數(shù)： 1/11頁
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代理商： STP08IE120F4
Preliminary Data
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November 2006
Rev 1
1/11
11
Order codes
Part Number
Marking
Package
Packing
STP08IE120F4
P08IE120F4
TO220FP-4L
Tube
STP08IE120F4
Emitter Switched Bipolar Transistor
ESBT
1200 V - 8 A - 0.10
General features
■
High voltage / high current Cascode
configuration
■
Low equivalent on resistance
■
very fast-switch up to 150 kHz
■
Squared RBSOA up to 1200V
■
Very low C
iss
driven by R
G
= 47
■
Very low turn-off cross over time
Applications
■
Aux SMPS for three phase mains
Description
The STP08IE120F4 is manufactured in Monolithic
ESBT Technology, aimed to provide best perfor-
mances in high frequency / high voltage applica-
tions.
It is designed for use in Gate Driven based topolo-
gies.
Internal schematic diagrams
V
CS(ON)
I
C
R
CS(ON)
0.8 V
8 A
0.10
W
TO220FP-4L
www.st.com
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PDF描述
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STP100NF03L-03 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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