參數(shù)資料
型號： STN3NE06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.10Ω-3A- SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道60V的-0.10Ω- 3A條，采用SOT - 223 STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/5頁
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代理商： STN3NE06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V I
D
= 6 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 5 V
V
DD
= 25 V I
D
= 6 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 40 V I
D
= 12 A V
GS
= 5 V
17
35
23
50
ns
ns
A/
μ
s
Turn-on Current Slope
200
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
13
6
5
18
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V I
D
= 12 A
R
G
= 4.7
V
GS
=5 V
9
18
30
12
25
45
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
3
12
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 3 A V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 12 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 25 V T
j
= 150
C
65
0.13
4
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STN3NE06L
3/5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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