參數(shù)資料
型號： STN3NE06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.10Ω-3A- SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道60V的-0.10Ω- 3A條，采用SOT - 223 STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/5頁
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代理商： STN3NE06L
THERMAL DATA
R
thj-pcb
R
thj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-PC Board Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
(Surface Mounted)
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
50
60
260
o
C/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
3
A
E
AS
20
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
V
GS
=
±
20 V
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
1.7
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V I
D
= 6A
V
GS
= 5 V I
D
= 6A
0.080
0.1
0.100
0.12
I
D(on)
On State Drain Current V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
3
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 1.5 A
1
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0 V
700
100
30
960
140
45
pF
pF
pF
STN3NE06L
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PDF描述
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參數(shù)描述
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