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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STK12C68-IM |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS nvSRAM 8K x 8 AutoStore Nonvolatile Static RAM Industrial Temperature/Military Screen |
| 中文描述： | 的CMOS非易失8K的× 8自動(dòng)存儲(chǔ)非易失性靜態(tài)RAM工業(yè)溫度/軍事屏幕 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | STK12C68-IM |
43
STK12C68-IM
NO.
PARAMETER
UNITS
Note c: Bringing E
≥
V
IH
will not produce standby currents until any nonvolatile cycle in progress has timed out. See MODE SELECTION table.
Note e: Parameter guaranteed but not tested.
Note f: For READ CYCLE #1 and #2, W is high for entire cycle.
Note g: Device is continuously selected with E low and G low.
Note h: Measured
±
200mV from steady state output voltage.
READ CYCLE #1
f,g
DQ (Data Out)
ADDRESS
DATA VALID
2
t
AVAV
3
t
AVQV
5
t
AXQX
READ CYCLES #1 & #2
SRAM MEMORY OPERATION
ADDRESS
E
G
DQ (Data Out)
DATA VALID
2
t
AVAV
1
t
ELQV
6
t
ELQX
4
t
GLQV
8
t
GLQX
10
t
ELICCH
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
9
t
GHQZ
I
CC
ACTIVE
STANDBY
READ CYCLE #2
f
1
t
ELQV
t
ACS
Chip Enable Access Time
25
35
45
ns
2
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
25
35
45
ns
3
t
AVQVg
t
AA
Address Access Time
25
35
45
ns
4
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Data Valid
10
20
25
ns
5
t
AXQX
t
OH
Output Hold After Address Change
5
5
5
ns
6
t
ELQX
t
LZ
Chip Enable to Output Active
5
5
5
ns
7
t
EHQZh
t
HZ
Chip Disable to Output Inactive
10
17
20
ns
8
t
GLQX
t
OLZ
Output Enable to Output Active
0
0
0
ns
9
t
GHQZh
t
OHZ
Output Disable to Output Inactive
10
17
20
ns
10
t
ELICCHe
t
PA
Chip Enable to Power Active
0
0
0
ns
11
t
EHICCLc,e
t
PS
Chip Disable to Power Standby
25
35
45
ns
#1, #2
Alt.
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
SYMBOLS
STK12C68-25-IM
STK12C68-35-IM
STK12C68-45-IM
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STK14C88-3 | 32K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile StaticRAM |
| STK14C88-3WF45 | 32K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile StaticRAM |
| STK14C88-3WF45I | 32K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile StaticRAM |
| STK14C88-3NF35 | 32K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile StaticRAM |
| STK14C88-3NF35I | 32K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap CMOS Nonvolatile StaticRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STK12C68-L35 | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK12C68-L351 | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| STK12C68-L35I | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK12C68-L45 | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK12C68-L45I | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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