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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STI5850 |
| 英文描述： | DIODE TVS 600W 400V BIDIR 5% SMB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 300V五（巴西）總裁| 8A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | STI5850 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI5851 | DIODE TVS 43V 600W UNIDIR 5% SMB |
| STI5852 | DIODE TVS 43V 600W BIDIR 5% SMB |
| STI8500 | SUPPRESSOR ESD 24VDC 0805 SMD |
| STI8501 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | TO-220 |
| STI8502 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI5851 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| STI5852 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| STI5N52U | 功能描述:MOSFET N-Ch 525V 1.28 Ohm 4.4A UltraFASTmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | TO-39 |
| STI6003D | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 600V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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