- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372288 > STI8501 TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | TO-220 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STI8501 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | TO-220 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 800V的五（巴西）總裁|至220 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | STI8501 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI8502 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO |
| STI8503 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | TO-220 |
| ST130 | Oscillators | HCMOS |
| S130 | Oscillators | HCMOS |
| ST1402 | SMART CARD 256 BYTE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI8502 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO |
| STI8503 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | TO-220 |
| STI85NF55 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 55 V, 0.0062 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET? II Power MOSFET |
| STI8N65M5 | 功能描述:MOSFET N-channel 650 V 0.56 Ohm, 7A MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 900V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。