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參數(shù)資料
| 型號： | STH16012 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 450V五（巴西）總裁|第15A一（c）|至218AC |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | STH16012 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH16018 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218 |
| STH16032 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
| STH16034 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
| STI340 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-126 |
| STI341 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:60pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STH16018 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218 |
| STH16032 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
| STH16034 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA |
| STH160N4LF6-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:181nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STH165N10F4-2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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