參數(shù)資料
型號(hào): STH16032
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 850V五(巴西)總裁| 3A條一(c)|至218AA
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代理商: STH16032
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PDF描述
STH16034 TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA
STI340 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-126
STI341 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:60pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA
STI3439 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-220; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Through Hole
STI344 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-220; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Through Hole
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參數(shù)描述
STH16034 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA
STH160N4LF6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):181nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STH165N10F4-2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STH16NA40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS
STH16NA40FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS