參數(shù)資料
型號(hào)： STGW12NB60HD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道12A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商： STGW12NB60HD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
H
)
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
(
H
)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
I
C
= 12 A
V
GE
= 15 V
150
27
76
92
0.21
0.49
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
Total Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 12 A
V
GE
= 15 V
229
76
95
200
0.45
0.74
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
COLLECTOR-EMITTER DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
f
I
fm
V
f
Forward Current
Forward Current pulsed
12
96
A
A
Forward On-Voltage
I
f
= 12 A
I
f
= 12 A
I
f
= 12 A
di/dt = 100 A/
μ
S
T
j
= 125
o
C
V
clamp
= 200 V
T
j
= 125
o
C
1.55
1.3
2.0
V
V
t
rr
Q
rr
I
rrm
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
(
) Pulse width limited by max. junction temperature
(
H
) Includerecovery losses on the STTA1206 freewheeling diode
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(**)Losses Include Also The Tail(Jedec Standardization)
100
330
6.3
nS
nC
A
Thermal Impedance
STGW12NB60HD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW12NB60H N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW20NB60HD N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW20NB60KD N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT
STGW20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW15H120DF2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:380μJ（開），370μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:67nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:23ns/111ns 測(cè)試條件:600V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:231ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW15H120F2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:380μJ（開），370μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:67nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:23ns/111ns 測(cè)試條件:600V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW15M120DF3 功能描述:IGBT 1200V 30A 259W 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:550μJ（開），850μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:226nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:26ns/122ns 測(cè)試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW15S120DF3 功能描述:IGBT 1200V 15A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.05V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:540μJ（開），1.38mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:23ns/140ns 測(cè)試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW19NC60H 功能描述:IGBT 晶體管 19 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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