參數(shù)資料
型號： STGW12NB60HD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道12A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： STGW12NB60HD
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-heatsink
Max
Max
Typ
1.04
30
0.1
o
C/W
oC/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 0
600
V
I
CES
V
CE
= Max Rating
V
CE
= Max Rating
V
GE
=
±
20 V
T
j
=
T
j
= 125
o
C
25
o
C
250
2000
μ
A
μ
A
nA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
CE
= 0
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
3
5
V
V
CE(SAT)
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
T
j
= 125
o
C
2
1.7
2.8
V
V
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
=25 V
I
C
= 12 A
9.5
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V
f = 1 MHz
V
GE
= 0
920
120
27
pF
pF
pF
Q
G
Q
GE
Q
GC
V
CE
= 480 V
I
C
= 12 A
V
GE
= 15 V
68
10
30
nC
nC
nC
I
CL
Latching Current
V
clamp
=480 V R
G
=10
T
j
= 150
o
C
48
A
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V
R
G
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 12 A
R
G
= 10
I
C
= 12 A
V
GE
= 15 V
5
46
ns
ns
E
on
(
H
)
Turn-on Current Slope
Turn-on
Switching Losses
800
290
A/
μ
s
μ
J
STGW12NB60HD
2/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW12NB60H N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
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STGW20NB60KD N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT
STGW20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT
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參數(shù)描述
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STGW15S120DF3 功能描述:IGBT 1200V 15A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.05V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:540μJ（開），1.38mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/140ns 測試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW19NC60H 功能描述:IGBT 晶體管 19 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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