型號(hào): | STGP14NC60KD |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
中文描述: | N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/D2PAK短路IGBT的額定PowerMESH |
文件頁數(shù): | 4/14頁 |
文件大?。?/td> | 456K |
代理商: | STGP14NC60KD |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STGP7NB60FD | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT |
STGP7NB60HD | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT |
STGP7NB60KD | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
STGW12NB60HD | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
STGW12NB60H | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STGP15H60DF | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
STGP15M65DF2 | 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,15A 功率 - 最大值:136W 開關(guān)能量:90μJ(開),450μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:45nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:24ns/93ns 測(cè)試條件:400V,15A,12 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):142ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
STGP18N40LZ | 功能描述:IGBT 晶體管 400V INTRN CLMP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGP19NC60H | 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGP19NC60HD | 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |