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參數(shù)資料
| 型號： | STGP14NC60KD |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| 中文描述： | N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/D2PAK短路IGBT的額定PowerMESH |
| 文件頁數(shù)： | 2/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 456K |
| 代理商： | STGP14NC60KD |
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
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Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
( ) Pulse width limited by Max Junction Temperature.
Table 4: Thermal Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: Main Parameters
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125°C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
GE(th)
Gate Threshold Voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
GE
= 15V, I
C
= 7A, Tc= 125°C
(#) Calculated according to the iterative formula:
Parameter
Value
Unit
STGB14NC60KD
STGP14NC60KD
STGF14NC60KD
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
I
F
P
TOT
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Emitter-Collector Voltage
600
V
20
V
Gate-Emitter Voltage
±20
V
Collector Current (continuous) at T
C
= 25°C (#)
Collector Current (continuous) at T
C
= 100°C (#)
25
11
A
14
7
A
Collector Current (pulsed)
50
A
Diode RMS Forward Current at T
C
= 25°C
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
20
A
80
25
W
0.64
0.20
W/°C
V
ISO
T
stg
T
j
Insulation Withstand Voltage A.C.(t = 1 sec; Tc = 25°C)
--
2500
V
Storage Temperature
– 55 to 150
°C
Operating Junction Temperature
Min.
Typ.
Max.
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
TO-220
D2PAK
TO-220FP
1.56
°C/W
5.0
62.5
°C/W
°C/W
°C
Rthj-amb
T
L
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purpose (1.6 mm from case, for 10 sec.)
300
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25°C
10
1
μA
mA
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
±100
nA
5
7
V
V
GE
= 15V, I
C
= 7A
2.0
1.8
2.5
V
V
ICTC
)
–
C
–
)
TCIC
(
)
×
RTHJ
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGP7NB60FD | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT |
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| STGW12NB60HD | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW12NB60H | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
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參數(shù)描述 |
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| STGP15H60DF | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
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| STGP18N40LZ | 功能描述:IGBT 晶體管 400V INTRN CLMP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGP19NC60H | 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGP19NC60HD | 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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