參數(shù)資料
型號： STGF10NB60SD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT
中文描述： N溝道10A條- 600V到- 220FP PowerMESH？ IGBT的
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 325K
代理商： STGF10NB60SD
3/8
STGF10NB60SD
Switching Off Safe Operating Area
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Eon
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
f
E
off
(**)
t
c
t
r
(V
off
)
t
f
E
off
(**)
COLLECTOR-EMITTER DIODE
Symbol
I
f
I
fm
Forward Current pulsed
V
f
Forward On-Voltage
(
G
)Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
(1)Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses Include Also the Tail
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 480 V, I
C
= 10 A
R
G
= 1K
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
0.7
μs
Rise Time
0.46
μs
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
V
CC
= 480 V, I
C
= 10 A
R
G
=1K
, V
GE
= 15 V
8
0.6
A/μs
mJ
Parameter
Test Conditions
V
clamp
= 480 V, I
C
= 10 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-over Time
2.2
μs
Off Voltage Rise Time
1.2
μs
Fall Time
1.2
μs
Turn-off Switching Loss
5.0
mJ
Cross-over Time
V
clamp
= 480 V, I
C
= 10 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
3.8
μs
Off Voltage Rise Time
1.2
μs
Fall Time
1.9
μs
Turn-off Switching Loss
8.0
mJ
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Current
7
56
A
A
I
f
= 3.5 A
I
f
= 3.5 A, Tj = 125 °C
I
f
= 7 A ,V
R
= 20 V,
Tj =125°C, di/dt = 100A/
μ
s
1.4
1.15
1.9
V
V
t
rr
Q
rr
I
rrm
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
50
70
2.7
ns
nC
A
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP14NC60KD Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60KD N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGW12NB60HD N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGF10NB60SD_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT
STGF10NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10NC60KD 功能描述:IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10NC60KD_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
STGF10NC60SD 功能描述:IGBT 晶體管 10 A-600 V fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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