參數(shù)資料
型號(hào)： STGE200NB60S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150A - 600V - ISOTOP PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道150A - 600V的- 1000V的集電極IGBT的PowerMESH⑩
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 334K
代理商： STGE200NB60S
3/9
STGE200NB60S
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
E
ts
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
Parameter
Test Conditions
V
cc
= 480 V, I
C
= 100 A,
R
GE
= 2
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-over Time
2.98
μs
Off Voltage Rise Time
1.7
μs
Delay Time
2.4
μs
Fall Time
1.23
μs
Turn-off Switching Loss
59
mJ
Total Switching Loss
71
mJ
Cross-over Time
V
cc
= 480 V, I
C
= 100 A,
R
GE
= 2
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
4.52
μs
Off Voltage Rise Time
2.6
μs
Delay Time
2.8
μs
Fall Time
1.8
μs
Turn-off Switching Loss
92
mJ
Total Switching Loss
105
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGE50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT
STGF10NB60SD N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT
STGP14NC60KD Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGE50NB60HD 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
STGE50NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-chnl 50A-600V PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGE50NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600volt 50 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 20A 30W TO220FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:SADA_600 V, 10 A high speed trench gate field-stop IGBT
STGF10NB60SD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*