參數(shù)資料
型號(hào)： STD70N02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0068ohm -第60A條-的DPAK -像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大小： 790K
代理商： STD70N02L
Electrical characteristics
STD70N02L - STD70N02L-1
4/17
2
Electrical characteristics
(Tcase =25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On /off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
I
D
= 25mA, V
GS
= 0
24
V
I
DSS
Zero gate voltage drain
current (V
GS
= 0)
V
DS
= 20V,
V
DS
= 20V,Tc = 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate body leakage
current (V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
±
100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
1.8
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
V
GS
= 5V, I
D
= 15A
0.0068
0.090
0.008
0.014
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%
Forward
transconductance
V
DS
=15V, I
D
= 30A
27
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
=16V, f=1MHz, V
GS
=0
1400
400
55
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
=10V, I
D
= 60A
V
GS
=10V
(see Figure 15)
24
5
3.4
32
nC
nC
nC
R
G
Gate input resistance
f=1MHz Gate DC Bias =0
test signal level =20mV
open drain
0.5
1.5
3
Q
OSS(2)
2.
Q
oss.
= C
oss
* D Vin, C
oss
= C
gd
+ C
gd.
(see
Appendix A
)
Output charge
V
DS
=16V, V
GS
=0V
9.4
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD70N02L-1 N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD70N03L N-channel 30V - 0.0059ohm - 70A - DPAK / IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD70N03L-1 N-channel 30V - 0.0059ohm - 70A - DPAK / IPAK STripFET TM III Power MOSFET
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參數(shù)描述
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STD70N03L 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.0059 Ohm 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD70N03L-1 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.0059 Ohm 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD70N10F4 功能描述:MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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