參數(shù)資料
型號(hào)： STD70N02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0068ohm -第60A條-的DPAK -像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 14/17頁(yè)
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代理商： STD70N02L
Package mechanical data
STD70N02L - STD70N02L-1
14/17
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
A1
A2
B
b4
C
C2
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
(L1)
L2
L4
R
V2
2.2
0.9
0.03
0.64
5.2
0.45
0.48
6
2.4
1.1
0.23
0.9
5.4
0.6
0.6
6.2
0.086
0.035
0.001
0.025
0.204
0.017
0.019
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0.094
0.043
0.009
0.035
0.212
0.023
0.023
0.244
5.1
0.200
6.4
6.6
0.252
0.260
4.7
2.28
0.185
0.090
4.4
9.35
1
4.6
10.1
0.173
0.368
0.039
0.181
0.397
2.8
0.8
0.110
0.031
0.6
1
0.023
0.039
0.2
0.008
0°
8°
0°
8°
DPAK MECHANICAL DATA
0068772-F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD70N02L-1 N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD70N03L N-channel 30V - 0.0059ohm - 70A - DPAK / IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD70N03L-1 N-channel 30V - 0.0059ohm - 70A - DPAK / IPAK STripFET TM III Power MOSFET
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參數(shù)描述
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STD70N03L 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.0059 Ohm 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD70N03L-1 功能描述:MOSFET N Ch 30V 0.0059 Ohm 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD70N10F4 功能描述:MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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