參數(shù)資料
型號： STD6N10-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 6A條（丁）|至251
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 171K
代理商： STD6N10-1
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
STD6N10
7/10
相關PDF資料
PDF描述
STD6N10L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
STD6N10LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
STD6N10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
STD6NC40-1 Resettable Fuse; Series:250R; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:60V; Holding Current:0.18A; Tripping Current:0.65A; Length:12mm; Lead Pitch:5.1mm; Initial Resistance Min:0.8ohm; Initial Resistance Max:4ohm RoHS Compliant: Yes
STD6NC40T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STD6N10L 功能描述:MOSFET TO-252 N-CH 100V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD6N10L1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
STD6N10LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
STD6N10T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
STD6N52K3 功能描述:MOSFET N-channel 525 V MDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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