參數(shù)資料
型號(hào)： STD60NF55LAT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 55V - 0.012ヘ - 60A - DPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
中文描述： N溝道55V的- 0.012ヘ-第60A條-的DPAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大?。?/td> 311K
代理商： STD60NF55LAT4
Electrical characteristics
STD60NF55LA
4/14
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
I
D
= 250μA, V
GS
=0
55
V
I
DSS
Zero gate voltage
drain current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max rating
V
DS
= Max rating,@125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body leakage
current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 15V
±100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
2
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
V
GS
= 5V, I
D
= 30A
0.012
0.014
0.015
0.017
I
D(on)
On state drain current
V
GS
= 3.5V, V
DS
>12V
-55°C < Tj < 150°C
35
A
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
Forward
transconductance
V
DS
= 10V, I
D
= 30A
35
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
= 25V, f = 1MHz,
V
GS
= 0
1950
390
130
pF
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 25V, I
D
= 30A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5V
(see
Figure 13
)
30
180
80
35
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
= 40V, I
D
= 60A,
V
GS
= 5V, R
G
= 4.7
(see
Figure 14
)
40
10
20
56
nC
nC
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD60NH03L N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET
STD60NH03L-1 PC 6C 6#20 SKT RECP
STD60NH03LT4 RSNTR 14.74MHZ 10PF 0.7% CER SMD-3.4X7.4 -40+85C T&R
STD65NF06 N-channel 60V - 11.5mヘ - 60A - DPAK/TO-220 STripFET⑩ II Power MOSFET
STD70N02L N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD60NF55LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD60NH03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.0075 W - 60A DPAK/IPAK STripFET III POWER MOSFET
STD60NH03L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.0075ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
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STD60NH03LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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