參數(shù)資料
型號(hào)： STD50NH02LT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0085ohm - 50A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 480K
代理商： STD50NH02LT4
Electrical characteristics
STD50NH02L - STD50NH02L-1
4/16
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
I
D
= 25mA, V
GS
=0
24
V
I
DSS
Zero gate voltage
drain current (V
GS
= 0)
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V, T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body leakage
current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
±100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
1.8
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 25A
V
GS
= 5V, I
D
= 12.5A
0.0085
0.012
0.0105
0.020
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
Qoss = Coss*
Vin , Coss = Cgd + Cds . See
Chapter 4: Appendix A
Forward
transconductance
V
DS
= 15V
,
I
D
= 25A
27
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
= 25V, f = 1MHz,
V
GS
= 0
1400
400
55
pF
pF
pF
R
G
Gate Input Resistance
f = 1 MHz Gate
DC Bias = 0 Test Signal
Level = 20 mV Open
Drain
1
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 10V, I
D
= 25A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see
Figure 13
)
10
130
27
16
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
=
10V, I
D
= 50A,
V
GS
= 10V, R
G
= 4.7
(see
Figure 14
)
24
5
3.5
nC
nC
nC
2.
Output charge
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
9.5
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD50NH02L RSNTR 12.00MHZ 10PF 0.7% CER SMD-3.4X7.4 -40+85C T&R
STD55NH2LL-1 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD55NH2LLT4 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
STD5N20LT4 N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD5100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD510BLK 功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA X .51" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 產(chǎn)品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長(zhǎng)度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk
STD5150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.41V @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD5200TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD520BLK 功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA. .52" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 產(chǎn)品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長(zhǎng)度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk
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