參數(shù)資料
型號： STD3NK60Z
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 3.3ohm - 2.4? TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK齊保護的SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大?。?/td> 755K
代理商： STD3NK60Z
7/15
STP3NK60Z /FP - STB3NK60Z - STD3NK60Z - STD3NK60Z-1
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關PDF資料
PDF描述
STB3NK60ZT4 N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STD3NK60ZT4 N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB40NF03L N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 40A D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB4395A CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
STB4395 CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STD3NK60Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD3NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3NK60Z-1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N I-PAK
STD3NK60ZD 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3NK60ZFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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