參數(shù)資料
型號： STD3NC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 1.8ohm - 3.2A的DPAK /像是iPak PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 460K
代理商： STD3NC60
3/10
STD3NC60 - STD3NC60-1
Safe Operating Area
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300V, I
D
= 2A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 480V, I
D
= 4 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
14
ns
t
r
Rise Time
14
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
16.5
23.1
nC
Gate-Source Charge
2.5
nC
Gate-Drain Charge
9
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
15
ns
Fall Time
19
ns
Cross-over Time
24
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
3.2
A
Source-drain Current (pulsed)
12.8
A
Forward On Voltage
I
SD
= 3.2A, V
GS
= 0
I
SD
= 4A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 100V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
600
ns
Reverse Recovery Charge
2.7
μC
Reverse Recovery Current
9
A
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD3NK50Z N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD3NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STQ3NK50ZR-AP N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD3NM60-1 N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
STD3NM60 N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD3NC60-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
STD3NC60T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252AA
STD3NK100Z 功能描述:MOSFET Hi Vltg NPN Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3NK50Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STD3NK50Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 500V-3ohms Zener SuperMESH 2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*