參數(shù)資料
型號： STD38NH02LT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.011ohm - 38A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/16頁
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代理商： STD38NH02LT4
Electrical characteristics
STD38NH02L - STD38NH02L-1
4/16
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
I
D
= 25mA, V
GS
=0
24
V
I
DSS
Zero gate voltage
drain current (V
GS
= 0)
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V, T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body leakage
current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
±100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
1.8
2.5
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 19A
V
GS
= 5V, I
D
= 9.5A
0.011
0.015
0.0135
0.025
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
Qoss = Coss*
Vin , Coss = Cgd + Cds . See
Chapter 4: Appendix A
Forward
transconductance
V
DS
= 10V
,
I
D
= 19A
19
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
= 25V, f = 1MHz,
V
GS
= 0
1070
305
45
pF
pF
pF
R
G
Gate Input Resistance
f = 1 MHz Gate
DC Bias = 0 Test Signal
Level = 20 mV Open
Drain
1
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 10V, I
D
= 19A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see
Figure 13
)
7
62
25
12
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
0.44V
≤
V
DD
≤
10V,
I
D
= 38A,
V
GS
= 10V, R
G
= 4.7
(see
Figure 14
)
18
4
2.5
24
nC
nC
nC
Q
oss(2)
2.
Output charge
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
6.5
nC
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