參數(shù)資料
型號： STD38NH02LT4
廠商： 意法半導體
英文描述： N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.011ohm - 38A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/16頁
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代理商： STD38NH02LT4
STD38NH02L - STD38NH02L-1
Electrical ratings
3/16
1
Electrical ratings
Table 1.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
spike (1)
1.
Garanted when external R
g
=4.7
and t
f
< t
fmax
.
Pulse width limited by safe operating area.
Drain-source voltage rating
30
V
V
DS
Drain-source voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate voltage (R
GS
= 20 k
)
24
V
V
DGR
24
V
V
GS
Gate- source voltage
± 20
V
I
D
Drain current (continuous) at T
C
= 25°C
38
A
I
D
Drain current (continuous) at T
C
= 100°C
27
A
I
DM(2)
2.
Drain current (pulsed)
152
A
P
tot
Total dissipation at T
C
= 25°C
40
W
Derating Factor
0.27
W/°C
E
AS (3)
3.
Starting T
j
= 25 °C, I
D
= 19A, V
DD
= 18V
Single pulse avalanche energy
250
mJ
T
stg
Storage temperature
-55 to 175
°C
T
j
Max. operating junction temperature
Table 2.
Thermal data
Rthj-case
Thermal resistance junction-case max
3.75
°C/W
Rthj-amb
Thermal resistance junction-ambient max
100
°C/W
T
J
Maximum lead temperature for soldering purpose
275
°C
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PDF描述
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