參數(shù)資料
型號(hào)： STD30NF03LT
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.017ohm - 30A條-的DPAK STripFET商標(biāo)二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 296K
代理商： STD30NF03LT
Electrical characteristics
STD30NF03LT
4/13
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 4.
On/off states
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
I
D
= 250μA, V
GS
=0
30
V
I
DSS
Zero gate voltage
drain current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max rating
V
DS
= Max rating,
T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body leakage
current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
±100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
1.7
2.5
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 6V, I
D
= 15A
V
GS
= 105V, I
D
= 15A
0.025
0.017
0.035
0.025
Table 5.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5%.
Forward
transconductance
V
DS
= 15V, I
D
= 15A
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
= 25V, f = 1MHz,
V
GS
= 0
750
280
70
pF
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 15V, I
D
= 15A
R
G
= 4.7
V
GS
= 6V
(see
Figure 12
)
15
30
20
10
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
= 15V, I
D
= 30A,
V
GS
= 6V, R
G
= 4.7
(see
Figure 13
)
13
5.5
5
18
nC
nC
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD30NF03LTT4 N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF03L Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:100uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Operating Temp. Max:125 C RoHS Compliant: Yes
STD35NF06T4 Progress in Power Switching(電源開關(guān)改進(jìn))
STD38NH02LT4 N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
STD3NC60-1 N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK PowerMesh⑩II MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD30NF03LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD30NF03LTT4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD30NF04LT 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD30NF06 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD30NF06-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-251AA
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