參數(shù)資料
型號(hào)： STD2NB80-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-251AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 1.9AI（四）|對(duì)251AA
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 174K
代理商： STD2NB80-1
Capacitance Variations
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
Normalized On Resistance vs Temperature
Turn-on Current Slope
Cross-over Time
Turn-off Drain-source Voltage Slope
STD2N50
5/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NC45T4 N-CHANNEL 450V 4.1OHM 1.5A DPAK/IPAK/TO-92 SUPERMESH POWER MOSFET
STD2NC50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA
STD2NC60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251AA
STD2NC70ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252AA
STD2NM60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2NB80T4 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NC40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
STD2NC40-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
STD2NC45-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NC45-1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N I-PAK
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