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參數(shù)資料
| 型號： | STD2NB80-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 1.9AI（四）|對251AA |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | STD2NB80-1 |
Derating Curve
Transfer Characteristics
Static Drain-source On Resistance
Output Characteristics
Transconductance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
STD2N50
4/10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD2NC45T4 | N-CHANNEL 450V 4.1OHM 1.5A DPAK/IPAK/TO-92 SUPERMESH POWER MOSFET |
| STD2NC50T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA |
| STD2NC60-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251AA |
| STD2NC70ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252AA |
| STD2NM60T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD2NB80T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD2NC40 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET |
| STD2NC40-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET |
| STD2NC45-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD2NC45-1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N I-PAK |
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