參數(shù)資料
型號(hào)： STD29NF03LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第29A條（丁）|對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 173K
代理商： STD29NF03LT4
STD29NF03L
2/10
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
°
C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
3.33
62.5
300
°
C/W
°
C/W
°
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125
°
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
18V
±
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 12 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 15 A
I
D
= 15 A
I
D
= 9 A
0.015
0.015
0.020
0.020
0.020
0.035
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs(*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
730
270
60
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2N50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252
STD2NA50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251
STD2NA50T4 OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD2NA60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-251
STD2NA60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2HNK60Z 功能描述:MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2HNK60Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2LN60K3 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 750mA， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD2N50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*