參數(shù)資料
型號(hào)： STD29NF03LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第29A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： STD29NF03LT4
1/10
February 2002
.
STD29NF03L
N-CHANNEL 30V - 0.015
- 29A IPAK/DPAK
LOW GATE CHARGE STripFET
II POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.015
I
OPTIMAL R
DS(on)
x Qg TRADE-OFF
I
CONDUCTION LOSSES REDUCED
I
SWITCHING LOSSES REDUCED
I
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1”)
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX “T4”)
DESCRIPTION
This application specific Power MOSFET shows the best
trade-off between on-resistance and gate charge. When
used as high and low side in buck regulators, it give the
best performance in terms of both conduction and
switching
losses.
This
is
motherboards where fast switching and high efficiency
are of paramount importance.
extremely
important
for
APPLICATIONS
I
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC
CONVERTERS
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STD29NF03L
30V
<0.020
29A
3
2
1
1
3
IPAK
TO-251
(Suffix “-1”)
DPAK
TO-252
(Suffix “T4”)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(
)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25
°
C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100
°
C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
E
AS(1)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
)
Current limited by the package
(
)
Pulse width limitedby safe operating area.
(1) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 15 A, V
DD
= 15 V
Parameter
Value
30
30
±
18
29
25
116
45
0.3
120
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
°
C
mJ
-55 to 175
°
C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2N50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252
STD2NA50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251
STD2NA50T4 OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD2NA60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-251
STD2NA60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2HNK60Z 功能描述:MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2HNK60Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2LN60K3 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 750mA， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD2N50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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