參數(shù)資料
型號： STD19NE06
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.042糯- 19A條像是iPak /功率MOSFET的DPAK STripFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： STD19NE06
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STD19NE06
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD1NA60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-251
STD1NA60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-252AA
STD1NC70ZT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-252AA
STD25NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-252AA
STD25NF10 N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD19NE06-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
STD19NE06L 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD19NE06L1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
STD19NE06L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
STD19NE06LT4 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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