參數(shù)資料
型號： STD15N06LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 15A條（?。﹟至252
文件頁數(shù)： 668/751頁
文件大小： 5531K
代理商： STD15N06LT4
Samsung ASIC
5-127
STD150
SPSRAMBW_LP
Low-Power Single-Port Synchronous Static RAM with Bit-Write
Application Notes
1.
Permitting Over-the-cell routing. In chip-level layout, over-the-cell routing in SPSRAMBW_LP is
permitted for only Metal-5 or upper layers.
2.
Incoming power bus should be adjusted to guarantee NOT more than 10% voltage drop at typical-case
current levels.
3.
Power stripe should be tapped from both sides of SPSRAMBW_LP.
4.
A byte-write or word-write operation with SPSRAMBW_LP. Refer to the function table. In byte-write
operation, the number of BWEN[] signal bus should be divided by a byte (8) and eight BWEN signals
should be tied to a connection wire. In this case, DI[] bus is controlled by a byte-wired BWEN signal
instead of each BWEN bit. In word-write operation, the functionality is exactly same as SPSRAM_LP. If
all of BWEN[] signal is tied to low state, DI[] bus is only controlled by WEN.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD15N06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15NF10 N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD15N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD19NE06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
STD19NE06L1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD15N06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD15N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD15NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD15NF10 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
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