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STD15N06T4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-252
STD15NF10	N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD15N06	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD19NE06-1	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-251AA
STD19NE06L1	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-251AA

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STD15N06T4

STD15NF10

N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET

STD15N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STD19NE06-1

STD19NE06L1

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STD15N06T4	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-252
STD15N60M2-EP	功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD15N65M5	功能描述:MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD15NF10	制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD15NF10	制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK

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STD15N06T4

STD15N60M2-EP

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STD15N65M5

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STD15NF10

制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK

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制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK

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型號(hào)：	STD15N06LT4
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-252
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 60V的五（巴西）直\| 15A條（?。﹟至252
文件頁(yè)數(shù)：	433/751頁(yè)
文件大小：	5531K
代理商：	STD15N06LT4

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