參數(shù)資料
型號(hào)： STD12NF06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.08歐姆-第12A像是iPak / DPAK封裝STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
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代理商： STD12NF06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 25 V
R
G
= 50
(see test circuit figure)
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit figure)
V
DD
= 40 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
40
80
60
120
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
210
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
15
6
5
25
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 40 V
R
GS
= 50
(see test circuit figure)
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
30
40
80
45
60
120
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
12
48
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 12 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 12 A
V
DD
= 25 V
60
0.12
4
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area
Thermal Impedance
STD12N05/STD12N06
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD130 STD130|Data Sheet
STD131 STD131|Data Sheet
STD150 STD150|Data Sheet
STD15N06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251
STD15N06L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD12NF06 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD12NF06_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STripFET? II Power MOSFET
STD12NF06-1 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD12NF06L 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N LOGIC D-PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, D-PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:30W;RoHS Compliant: Yes 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 12A STripFETII DPAK
STD12NF06L 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N LOGIC D-PAK
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