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參數(shù)資料
| 型號： | STD12NE06L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel 60V-0.09Ω-12A- DPAK SINGLE FEATURE SIZETM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道60V的-0.09Ω- 12A條，單一的功能SIZETM DPAK封裝功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | STD12NE06L |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
4.3
100
1.5
275
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
12
A
E
AS
45
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 100
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 6 A
I
D
= 6 A
1
1.7
2.5
V
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
0.09
0.07
0.12
0.10
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
12
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=6 A
4
7
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
700
100
30
1000
140
45
pF
pF
pF
STD12NE06L
2/8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD15N06L | N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET) |
| STD16NE06L-1 | N-Channel 60V-0.07Ω-16A- TO-251 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STD16NE06L | N-Channel 60V-0.07Ω-16A- DPAK STripFETTM " Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
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| STD17NF03LT4 | N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD12NE06L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA |
| STD12NE06LT4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA |
| STD12NE06T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| STD12NF06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 12A DPAK |
| STD12NF06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK |
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