參數資料
型號： STD12N06L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式的低閾值功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式低閾值功率MOSFET的）
文件頁數： 3/10頁
文件大?。?/td> 175K
代理商： STD12N06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 25 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 40 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 5 V
55
180
80
260
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
120
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
12
6
5
18
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
40
60
110
60
90
160
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
12
48
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 12 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 12 A
V
DD
= 25 V
(see test circuit, figure 5)
75
0.15
4
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas
Thermal Impedance
STD12N05L/STD12N06L
3/10
相關PDF資料
PDF描述
STD12NE06L N-Channel 60V-0.09Ω-12A- DPAK SINGLE FEATURE SIZETM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD15N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
STD16NE06L-1 N-Channel 60V-0.07Ω-16A- TO-251 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD16NE06L N-Channel 60V-0.07Ω-16A- DPAK STripFETTM " Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
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相關代理商/技術參數
參數描述
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STD12N06LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 0.12 ohm - 12A TO-252 LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD12N10T4G 功能描述:MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:* 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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