參數(shù)資料
型號： STD110NH02LT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直| 80A條（?。﹟對252AA
文件頁數(shù)： 614/862頁
文件大小： 3072K
代理商： STD110NH02LT4
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STD110
4-42
SEC ASIC
PvOTyz
Tri-State Output Buffers
Switching Characteristics
POT4
(Typical process, 25
°
C, 2.5V, t
R
/t
F
= 0.17ns, CL: Capacitive Load[pf])
POT6
Path
Parameter
Delay [ns]
CL = 50.0pF
7.917
9.121
4.724
5.527
7.917
9.121
4.772
5.649
0.940
0.978
7.917
9.121
4.874
5.752
0.982
1.020
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.348 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.097 + 0.073*CL
0.969 + 0.091*CL
0.348 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.144 + 0.073*CL
1.088 + 0.091*CL
0.940 + 0.000*CL
0.978 + 0.000*CL
0.348 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.247 + 0.073*CL
1.192 + 0.091*CL
0.982 + 0.000*CL
1.020 + 0.000*CL
Group2*
0.342 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.097 + 0.073*CL
0.968 + 0.091*CL
0.342 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.144 + 0.073*CL
1.089 + 0.091*CL
0.940 + 0.000*CL
0.978 + 0.000*CL
0.342 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.247 + 0.073*CL
1.192 + 0.091*CL
0.982 + 0.000*CL
1.020 + 0.000*CL
Group3*
0.343 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.097 + 0.073*CL
0.969 + 0.091*CL
0.343 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.145 + 0.073*CL
1.090 + 0.091*CL
0.940 + 0.000*CL
0.978 + 0.000*CL
0.343 + 0.151*CL
0.359 + 0.175*CL
1.247 + 0.073*CL
1.191 + 0.091*CL
0.982 + 0.000*CL
1.020 + 0.000*CL
A to PAD
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tPLZ
tPHZ
tR
tF
tPLH
tPHL
tPLZ
tPHZ
TN to PAD
EN to PAD
*Group1 : CL < 50, *Group2 : 5 =
Path
Parameter
Delay [ns]
CL = 50.0pF
5.317
6.097
3.660
4.024
5.317
6.097
3.708
4.142
1.067
1.188
5.317
6.097
3.810
4.245
1.111
1.230
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.309 + 0.100*CL
0.261 + 0.117*CL
1.240 + 0.048*CL
0.989 + 0.061*CL
0.309 + 0.100*CL
0.260 + 0.117*CL
1.288 + 0.048*CL
1.099 + 0.061*CL
1.067 + 0.000*CL
1.187 + 0.000*CL
0.309 + 0.100*CL
0.260 + 0.117*CL
1.391 + 0.048*CL
1.203 + 0.061*CL
1.111 + 0.000*CL
1.230 + 0.000*CL
Group2*
0.280 + 0.101*CL
0.256 + 0.117*CL
1.241 + 0.048*CL
0.986 + 0.061*CL
0.280 + 0.101*CL
0.256 + 0.117*CL
1.289 + 0.048*CL
1.101 + 0.061*CL
1.067 + 0.000*CL
1.188 + 0.000*CL
0.280 + 0.101*CL
0.256 + 0.117*CL
1.392 + 0.048*CL
1.204 + 0.061*CL
1.111 + 0.000*CL
1.230 + 0.000*CL
Group3*
0.265 + 0.101*CL
0.256 + 0.117*CL
1.242 + 0.048*CL
0.985 + 0.061*CL
0.265 + 0.101*CL
0.256 + 0.117*CL
1.289 + 0.048*CL
1.102 + 0.061*CL
1.067 + 0.000*CL
1.188 + 0.000*CL
0.265 + 0.101*CL
0.256 + 0.117*CL
1.392 + 0.048*CL
1.205 + 0.061*CL
1.111 + 0.000*CL
1.230 + 0.000*CL
A to PAD
tR
tF
tPLH
tPHL
tR
tF
tPLH
tPHL
tPLZ
tPHZ
tR
tF
tPLH
tPHL
tPLZ
tPHZ
TN to PAD
EN to PAD
*Group1 : CL < 50, *Group2 : 5 =
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PDF描述
STD111 STD111|Data Sheet
STD12N05-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
STD12NF06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA
STD12N05L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
STD12N05LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
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STD116GK14 制造商:SIRECT 制造商全稱:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
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