參數(shù)資料
型號(hào)： STC05IE150HV
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1500 V - 5 A - 0.12 ohm
中文描述： 發(fā)射極開(kāi)關(guān)雙極晶體管內(nèi)酰胺酶1500伏特- 5阿- 0.12歐姆
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 121K
代理商： STC05IE150HV
STC05IE150HV
2 Electrical Characteristics
3/7
2
Electrical Characteristics
Table 3.
Electrical Characteristics
(T
CASE
= 25°C; unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CS(SS)
Collector-source current
(V
BS
= V
GS
= 0)
V
CE
= 1500V
100
μ
A
I
BS(OS)
Base-source current
(I
C
= 0, V
GS
= 0 V)
V
BS(OS)
= 30 V
10
μ
A
I
SB(OS)
Source-base current
(I
C
= 0, V
GS
= 0)
V
SB(OS)
= 20 V
100
μ
A
I
GS(OS)
Gate-source leakage
V
GS
=
±
17 V
100
nA
V
CS(ON)
Collector-source ON voltage
V
GS
= 10 V
_
I
C
= 5 A
_
I
B
= 1.0 A
V
GS
= 10 V
_
I
C
= 2 A
_
I
B
= 0.2 A
0.6
0.8
1.2
1.5
V
V
h
FE
DC current gain
V
GS
= 10 V
_
V
CS
= 1 V
_
I
C
= 5 A
V
GS
= 10 V
_
V
CS
= 1 V
_
I
C
= 2 A
4
8
6
11
V
BS(ON)
Base-source ON voltage
V
GS
= 10 V
_
I
C
= 5 A
_
I
B
= 1 A
V
GS
= 10 V
_
I
C
= 2 A
_
I
B
= 0.2 A
V
BS
= V
GS
______
I
B
= 250
μ
A
1.3
1.0
1.5
1.2
V
V
V
GS(th)
Gate threshold voltage
2
3
4
V
C
ISS
Input capacitance
TBD
TBD
pF
Q
GS(tot)
Gate-source charge
TBD
TBD
nC
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage time
Fall time
TBD
TBD
TBD
ns
ns
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