采購(gòu)需求
(若只采購(gòu)一條型號(hào),填寫(xiě)一行即可)*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠(chǎng)商 | 批號(hào) | 封裝 |
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型號(hào): | STB8NM60D |
廠(chǎng)商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET |
中文描述: | N溝道600V的- 0.9ヘ- 8A條- TO-220/D2PAK⑩快速二極管的MDmesh功率MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 1/13頁(yè) |
文件大?。?/td> | 720K |
代理商: | STB8NM60D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STB9NK50ZT4 | N-CHANNEL 500V 0.72 OHM TO-220/TO-220FP/D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET |
STC03DE150 | HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1500 V - 3 A - 0.55 ohm |
STC03DE170 | HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1700 V - 3 A - 0.55 Ohm |
STC03DE170HP | Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55OHM |
STC03DE170HV_06 | Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55 OHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB8NM60N | 功能描述:MOSFET N-ch 600 Volts 7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB8NM60T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB8NS25 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
STB8NS25T4 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
STB90NF03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.0065 ohm - 95A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠(chǎng)商 | 批號(hào) | 封裝 |
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