參數(shù)資料
型號(hào)： STC03DE170
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1700 V - 3 A - 0.55 Ohm
中文描述： 混合發(fā)射器開關(guān)雙極晶體管內(nèi)酰胺酶1700五- 3阿- 0.55歐姆
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
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代理商： STC03DE170
1/9
October 2004
Table 1: General Features
n
LOW EQUIVALENT ON RESISTANCE
VERY FAST-SWITCH, UP TO 150 kHz
SQUARED RBSOA, UP TO 1500 V
VERY LOW C
ISS
DRIVEN BY RG = 4.7
W
n
n
n
APPLICATION
AUX SMPS FOR THREE PHASE MAINS
n
DESCRIPTION
The STC03DE150 is manufactured in a hybrid
structure, using dedicated high voltage Bipolar
and low voltage MOSFET technologies, aimed to
providing the best performance in ESBT topology.
The STC03DE150 is designed for use in aux
flyback smps for any three phase application.
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
Table 2: Order Code
V
CS(ON)
I
C
R
CS(ON)
1 V
1.8 A
0.55
W
TO247-4L
Electrical Symbol Device Structure
Part Number
Marking
Package
Packaging
STC03DE150
STC03DE150
TO247-4L
TUBE
STC03DE150
HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR
ESBT 1500 V - 3 A - 0.55
W
Rev. 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STC03DE170HP Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55OHM
STC03DE170HV_06 Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55 OHM
STC03DE170HV HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1700 V - 3 A - 0.55 OHM
STC03DE220HV Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 2200V - 3A - 0.33OHM
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參數(shù)描述
STC03DE170HP 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hybrid emitter bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STC03DE170HP_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT㈢ 1700V - 3A - 0.33 W
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STC03DE170HV_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55 OHM
STC03DE170HV_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT㈢ 1700V - 3A - 0.33 W
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