型號: | STB5NK50Z |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
中文描述: | N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK齊納保護SuperMESH⑩功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 1/14頁 |
文件大小: | 618K |
代理商: | STB5NK50Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STB6NB50-1 | FUSE/SM .8W, VMAX = 6 VDC, I(TRIP) = 2.2 A |
STB6NB50 | N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 5.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET |
STB6NB50T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-263AB |
STB7002TR | 1.8 GHZ THREE GAIN LEVEL LNA |
STB70NH03LT4 | N-channel 60V - 0.0075ohm - 70A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET for DC-DC conversion |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB5NK50Z_05 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET |
STB5NK50Z-1 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB5NK50ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB5NK52ZD-1 | 功能描述:MOSFET N Ch 520V 1.22 Ohm 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB6000 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:QPSK DVB/DIRECTVTM direct conversion tuner IC |