型號: | STB5NK50Z-1 |
廠商: | 意法半導體 |
元件分類: | 保險絲支架,夾子&硬件 |
英文描述: | In Line Fuse Holder; Body Material:Thermoset ; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:In Line; Voltage Rating:32V |
中文描述: | N溝道500V - 1.22歐姆- 4.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK/I2PAK穩(wěn)壓保護SUPERMESH功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 1/14頁 |
文件大小: | 618K |
代理商: | STB5NK50Z-1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STP5NK50ZFP | N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
STD5NK50Z-1 | N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
STB5BK50Z-1 | N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
STP5NK50Z | N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
STD5NK50Z | N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB5NK50ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB5NK52ZD-1 | 功能描述:MOSFET N Ch 520V 1.22 Ohm 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB6000 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:QPSK DVB/DIRECTVTM direct conversion tuner IC |
STB6010 | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
STB60100CTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |