參數(shù)資料
型號： STB5BK50Z-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述： N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK齊納保護(hù)SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大小： 618K
代理商： STB5BK50Z-1
1/14
April 2003
STB5NK50Z-1 - STP5NK50ZFP
STP5NK50Z - STD5NK50Z - STD5NK50Z-1
N-CHANNEL500V-1.22
-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I
2
PAK
Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 1.22
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
VERY GOOD MANUFACTURING
REPEATIBILITY
DESCRIPTION
The SuperMESH series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established strip-
based PowerMESH layout. In addition to pushing
on-resistance significantly down, special care is tak-
en to ensure a very good dv/dt capability for the
most demanding applications. Such series comple-
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-
cluding revolutionary MDmesh products.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,
ADAPTORS AND PFC
I
LIGHTING
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
Pw
STP5NK50Z
STP5NK50ZFP
STD5NK50Z
STD5NK50Z-1
STB5BK50Z-1
500 V
500 V
500 V
500 V
500 V
< 1.5
< 1.5
< 1.5
< 1.5
< 1.5
4.4 A
4.4 A
4.4 A
4.4 A
4.4 A
70 W
25 W
70 W
70 W
70 W
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP5NK50Z
P5NK50Z
TO-220
TUBE
STP5NK50ZFP
P5NK50ZFP
TO-220FP
TUBE
STD5NK50ZT4
D5NK50Z
DPAK
TAPE & REEL
STD5NK50Z-1
D5NK50Z
IPAK
TUBE
STB5NK50Z-1
B5NK50Z
I
2
PAK
TUBE
TO-220
TO-220FP
1
2
3
1
3
DPAK
3
2
1
IPAK
123
I
2
PAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP5NK50Z N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STD5NK50Z N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB5NK50Z N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB6NB50-1 FUSE/SM .8W, VMAX = 6 VDC, I(TRIP) = 2.2 A
STB6NB50 N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 5.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB5N52K3 功能描述:MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5N80K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.75 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:177pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB5NA50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB5NA50-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-262VAR
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