參數(shù)資料
型號： STB3NB60
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET
中文描述： ? - 600V的通道- 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/9頁
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代理商： STB3NB60
Fig. 1:
Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode RecoveryTimes
STB3NB60
6/9
相關PDF資料
PDF描述
STB3NC90 N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB3NC90Z-1 N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB3NC90Z N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB3NK60Z N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STD3NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB3NB60-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-262AA
STB3NB60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB3NC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET
STB3NC60-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA
STB3NC60T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-263AB
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